AI 晶片卡在封測：測試時間拉長十倍、CPO 還得對準光，台灣供應鏈已經卡位，放量要等 2028 年

晶圓廠做出來的，是一整片圓形的晶圓，上面密密麻麻排著幾百到幾千顆晶粒（Die，之後會變成一顆顆晶片的小方塊）。要變成能焊到電路板上的成品，還得送進封裝測試廠（OSAT，Outsourced Semiconductor Assembly and Test，專門幫晶片「穿外殼」和「做體檢」的工廠），走完十個步驟。

這十步分成三段：切割前、組裝、出貨前。其中三步是檢查，另外七步是加工。

檢查排在哪個時間點，決定一顆壞晶片會浪費多少錢。越早抓到，丟掉的東西越便宜。

第一段：切割前（第 1 到 3 步）

1　晶圓針測（CP，Chip Probe）　晶圓還沒切開之前，先用一片布滿細針的探針卡，一顆顆碰觸晶粒上的金屬接點，通電、讀訊號，把壞的標記起來。壞晶粒就不會進入後面的封裝，省下材料和工時。這一步不一定在封測廠做，很多是在晶圓廠就先測好。

2　背面研磨（Back Grinding）　從背面把晶圓磨薄。磨薄之後，封裝才能做得輕薄，好幾顆晶片也才疊得起來；矽變薄了，熱也比較容易散出去。

3　晶圓切割（Dicing）　用鑽石刀片或雷射，沿著晶粒之間預留的「切割道」，把整片晶圓切成一顆顆獨立的晶粒。

切好的晶圓黏在藍色膠帶上，上方幾顆晶粒已經被夾走，送去下一步封裝。

照片：Khpsoi／Wikimedia Commons（CC BY-SA 4.0）

第二段：組裝（第 4 到 7 步）

4　黏晶（Die Attach）　機器把檢查合格的晶粒一顆顆夾起來，固定到底座上。底座可能是導線架（晶片底下的金屬支架）、IC 載板（晶片和主機板之間的小塊多層電路板），或是先進封裝用的中介層（Interposer，讓好幾顆晶片並排互傳資料的轉接板）。均華（6640）的晶粒挑揀機和黏晶機，做的就是這一步。

5　打線或覆晶接合（Wire Bonding、Flip Chip）　傳統做法是用比頭髮還細的金線或銅線，把晶片上的接點一條條拉到外面的金屬腳。先進封裝則把晶片翻過來，用底部一排排極小的焊點，也就是微凸塊（Micro-bump），直接接到下方的中介層。台積電的先進封裝 CoWoS 用的就是這種做法。

還有一種接得更密的方式，叫混合鍵合（Hybrid Bonding）：不用焊點，直接讓兩片晶片上的銅面貼合在一起，這是台積電 SoIC 技術的做法。用 SoIC 疊好的晶片，可以再放進 CoWoS 封裝裡，但兩者是不同的製程。

6　封膠（Molding）　用環氧樹脂這類封裝材料把晶片包起來，擋住濕氣和碰撞，等於幫晶片穿上一層硬殼。

7　植球與切單（Ball Mount、Singulation）　常見的球柵陣列（BGA，Ball Grid Array）封裝，會在底部種上一顆顆小錫球，之後焊到電路板上當作接點；種好之後，再把一整條載板切成一顆顆成品。另一種用導線架的封裝，這一步叫剪切成型（Trim and Form）：把金屬腳剪開、彎成需要的形狀。

打線特寫：細金線從晶片表面的接點，拉到封裝的金屬腳上（圖中是一顆功率電晶體拆開外殼後的樣子）。

照片：Mister rf／Wikimedia Commons（CC BY-SA 4.0）

BGA 錫球。這張是晶片被拆下來之後，留在電路板上的一整排錫球。

照片：Janke／Wikimedia Commons（CC BY-SA 3.0）

第三段：出貨前（第 8 到 10 步）

8　預燒（Burn-in）　把晶片放進高溫環境、加上比平常高的電壓，連續運轉一段時間。晶片和燈泡很像，故障多半集中在剛開始使用的那段時間，業界叫「早夭期」。預燒就是讓體質不好的晶片在工廠裡先壞掉，不要等到客戶手上才出問題。印能科技（7734）除了封裝製程設備，也做高功率的預燒測試機。

9　最終測試（FT，Final Test）　把封裝好的成品放進測試座，由測試機跑一遍完整的功能和速度測試，確認規格都達標。AI 晶片通常還會多一道系統級測試（SLT，System-Level Test）：把晶片裝在接近真實伺服器的環境裡，實際跑一段工作，看會不會出錯。致茂（2360）在 2026 年第一季法說會（公司向投資人說明營運的會議）提到，AI 晶片的系統級測試時間，已經從大約 4 小時再往上拉長。這是 AI 晶片的數字，不是 CPO 的數字。

10　印字與包裝（Mark and Pack）　用雷射在晶片表面印上品牌和型號，再裝進防靜電的捲帶或托盤出貨。實際產線上，印字不一定排在最後，時間點會依封裝類型調整。

Aehr Test Systems（$AEHR）的 FOX-XP 預燒與測試設備。它把預燒提前到還沒切開的晶圓階段就做，原廠列出的適用產品包括邏輯、記憶體、光通訊和功率元件。這和第 8 步「封裝後預燒」不是同一個時間點。

圖片來源：Aehr Test Systems 產品頁（原廠產品圖，未經修改）

為什麼要在晶圓階段就先測一次

同一顆壞晶粒，在晶圓上抓到，只丟掉一小塊；封裝完才發現，整組一起報廢。（示意插畫）

看 AI 晶片就懂。一顆 AI 加速器（專門跑 AI 運算的晶片）的封裝裡，除了運算晶片，還會貼上好幾組高頻寬記憶體（HBM，High Bandwidth Memory，一層層疊起來、專門快速餵資料給 AI 晶片的記憶體）。如果運算晶片是壞的，卻到封裝完成才發現，旁邊好好的 HBM 也得跟著一起丟掉。

所以業界追求已知良好晶粒（KGD，Known Good Die）：放進封裝之前，就先確定每一顆都是好的。

上面是一般晶片的體檢流程。CPO 多了「光」，檢查站會變成四道以上，而且越後面那一道，被檢查的東西越貴。第四到第六節會一站一站拆開來看。

現在主流的 AI 晶片，多半採用台積電的先進封裝 CoWoS：把運算晶片和高頻寬記憶體並排放在中介層上，再一起封裝。需求一下子湧上來，瓶頸出現在三個地方。

產能：機台和產線不夠，擴產追不上訂單。

良率（一批產品裡合格品的比例）：晶片越做越大，一加熱就容易彎。

測試：每顆晶片要測的東西變多、時間變長，測試機、探針卡、測試座通通吃緊。

負責下指令、判斷好壞的是測試機（ATE，Automatic Test Equipment）。但測試機本身碰不到晶片，中間需要一個「轉接頭」，把測試訊號送進晶片、再把結果讀出來。

探針卡（Probe Card）：晶圓還沒切開時用。一整片細針往下壓，扎在每顆晶粒的金屬接點上。

測試座（Test Socket）：封裝完成後用。成品晶片放進座子裡，底下一根根帶彈簧的細針，從下方頂住晶片的錫球。

除了轉接頭，還需要機器負責「搬」：晶圓階段靠探針台（Prober）移動晶圓，把晶粒一顆顆送到探針底下；成品階段靠分選機（Handler）把晶片放進測試座、控制溫度，測完再把合格和不合格的分開。

懸臂式探針卡特寫。這張卡一次可以測好幾顆影像感測器（手機相機裡的感光晶片），每個開口四周斜伸出來的細針，就是往下扎在晶粒接點上的部分。

照片：Jasycheng／Wikimedia Commons（CC BY-SA 4.0）

拆開外殼、正在維修的探針台（Electroglas 4090u+）。中間圓盤上放著晶圓，機器會移動它，把晶粒一顆顆送到探針卡底下；正常運作時，探針卡和測試頭裝在上方。

照片：Ixnayonthetimmay（MarTek, Inc.）／Wikimedia Commons（CC BY-SA 3.0）

穎崴的同軸式彈簧針測試座。中間密密麻麻的小孔，每一個孔裡都有一根彈簧針，負責頂住封裝底部的錫球。

圖片來源：穎崴科技產品頁（原廠產品圖，未經修改）

Advantest 的 V93000 測試機。前方方形的機箱裝著測試用的電路板卡，旁邊的立柱用來升降、翻轉它，好接到探針台或分選機上。

圖片來源：Advantest 產品頁（原廠產品圖，未經修改）

探針卡的兩種針：斜伸的，和直立的

懸臂式探針卡（CPC，Cantilever Probe Card）：針像一根根斜伸出去的釣竿，從卡片邊緣往中間伸。技術成熟、成本低，但針沒辦法排得太密。

垂直式探針卡（VPC，Vertical Probe Card）：針像一整排直立的釘子，正面往下壓，可以排得很密、布滿整顆晶粒。AI 晶片的接點可能多達上萬個，靠的就是這種。高階的垂直針是用半導體的微影製程做出來的，叫做微機電（MEMS，Micro-Electro-Mechanical Systems）探針。

還有一種薄膜式探針卡（Membrane Probe Card）：接觸點做在一層薄膜上，訊號走的路很短，適合測射頻晶片（處理手機、Wi-Fi 這類無線訊號的晶片）。第七節介紹的漢測就在做這種。

一張傳統的懸臂式探針卡：金色線路從四周收進中央開口，細針從開口邊緣伸向中心。

照片：Ajoones／Wikimedia Commons（CC BY 3.0）

一般晶片的探針卡市場：依研究機構 TechInsights 統計的 2021 年營收，前五名依序是 FormFactor、Technoprobe、MJC（Micronics Japan，日本・6871）、JEM（Japan Electronic Materials，日本・6855）、旺矽，前十大合計超過八成；中華精測（6510）當年第一次擠進前十。這是 AI 熱潮之前的資料，名次可能已經改變。旺矽在懸臂式探針卡是全球第一。
測試座：依 Yole 統計的 2024 年排名，穎崴全球第一；Cohu（$COHU）和 Advantest（日本・6857）也是主要供應商。
測試機：全球由 Advantest 和泰瑞達 Teradyne（$TER）兩家主導。

CPO 是把光學引擎（負責把電訊號轉成光、再把光轉回電的小模組），和交換器晶片或運算晶片封在同一顆封裝裡，晶片之間改用光傳資料。交換器是資料中心裡負責把資料轉送到正確伺服器的設備。

傳統測試只量電，到這裡就不夠了。光子晶片（PIC，Photonic Integrated Circuit，在矽晶片上做出讓光行走的線路）要量的是光：光損失了多少、光有多強、光的顏色（也就是波長）對不對，還要確認電轉光、光轉電的效率。

難在三件事：對準、光源、時間。

對準：誤差要壓到奈米等級

電探針只要扎到接點上就導通。接點有幾十微米寬（一根頭髮大約 70 微米粗），稍微偏一點沒關係。

光就不一樣了。光纖射出的光點直徑大約 10 微米，要對準晶片表面的光柵耦合器（Grating Coupler）。它是一小塊刻著細密溝紋的區域，作用像漏斗的入口：把從上方射下來的光「折」進晶片內部的光波導（Waveguide，晶片裡讓光沿著走的細小通道，像迷你光纖）。光纖不是垂直插下去，而是稍微傾斜一個小角度（常見設計約 8 度）；位置偏個幾微米、角度歪一點，進去的光就會明顯變少。

所以量測之前要先「找光」：定位台一邊微調位置，一邊看光的強度，找到最亮的那一點才開始量。義大利探針卡廠 Technoprobe 的研究團隊在 2026 年發表的論文提到，這類定位系統的移動精度可以細到 1 奈米以內（1 奈米是 1 微米的千分之一）；前後、左右、上下，再加上三個方向的轉角，一共六個方向的對準誤差，通常要壓在 100 奈米以內。

換成面積來看更直觀：光纖光點的截面約 78.5 平方微米，晶片裡常見的矽光波導截面只有 450 × 220 奈米，約 0.099 平方微米，兩者差了將近 800 倍。光柵耦合器先把光收進來，再一路收窄導進波導；但只要光纖沒對準，損失就很明顯。

連震動和溫度變化，都可能讓已經對好的位置跑掉。

光源：雷射最怕熱

矽本身不會發光，所以 CPO 的光要靠另外的雷射提供。雷射是整套系統裡最容易壞、也最怕熱的零件：溫度一高，光就變弱，光的顏色（波長）也會跟著偏掉。

所以主流做法是把雷射搬到封裝外面，做成可以插拔更換的外部光源（ELS，External Laser Source），再用光纖把光送進晶片。測試時也得在高溫和低溫下各測一次，確認光的強度和波長夠穩定。

示意圖，只畫趨勢，不是實測數值。上：雷射放在交換器前面板、可以插拔的外部光源，透過保偏光纖（能維持光振動方向的特殊光纖）把光送到晶片旁的光學引擎，避開最熱的地方。下：溫度升高時，雷射輸出的光會變弱，波長也會往長的方向偏移。

雷射為什麼非搬出去不可，第二篇 CPO 量產卡在三件事 有完整說明。

時間：傳統做法一顆要測超過 100 秒

研究機構 TrendForce 2026 年 4 月的報告指出，用傳統做法，一顆光子晶片做完整的光學檢查，平均要超過 100 秒；摩根士丹利 2026 年 6 月的報告也提到，精細的光學探針操作到現在還很依賴人工。

時間大多花在「找光」。把光纖裝在探針台旁邊的定位器上，一顆一顆慢慢對準，Technoprobe 的論文形容是「每顆晶粒要以分鐘計」。

自動化正在把這個時間往下壓。同一篇研究把定位器直接做進探針卡之後，單顆對準縮短到幾秒；美國探針卡大廠 FormFactor 也表示，它的自動化邊緣耦合量測系統（從晶片側邊把光送進去），搭配即時修正光路的技術（自適應光學，Adaptive Optics）和搜尋演算法，每顆晶粒的測試時間可以壓到 5 秒以內。

所以 100 秒不是物理極限，而是今天產線的普遍狀況。量產規模能不能放大，要看這些自動化方案多快真正進到產線。

電的測試像插插頭，插進去就通；光的測試像隔著一段距離把光束穿過鑰匙孔，還得先找到孔在哪。（示意插畫）

刻度是對數：每往右一格，時間就多十倍。這五個數字量的東西不一樣（單顆光學檢查、整顆晶片測試、系統級測試），放在一起只是為了比較量級。「5 秒以內」是廠商針對特定系統、特定測試項目的說法，不是產線平均。來源：Advantest 高層說法（科技新報 2026/3/19）、TrendForce（2026/4/24）、FormFactor（2025/7/24）、致茂 2026 年第一季法說會。

要在同一片晶圓上同時測電和光，目前有兩種商用做法。

光纖裝在探針台上。電的部分照舊用探針卡；光纖另外夾在探針台的多軸定位器上，從旁邊伸進來對準。FormFactor 的 CM300xi-SiPh、旺矽的矽光子探針系統都屬於這一類。好處是彈性大，缺點是每顆晶粒都得重新找光。

光纖直接做進探針卡。把一整排光纖和壓電定位器（壓電材料通電會微微變形，可以推動光纖做極細微的移動）整合進探針卡裡，對準時要移動的距離更短、動作更小。

旺矽的矽光子晶圓測試系統。左右兩組六軸定位器各夾著光纖，從兩側伸到晶圓上方找光，這就是「光纖裝在探針台上」的做法。

圖片來源：MPI 旺矽應用頁（原廠產品圖，未經修改）

FormFactor CM300xi-SiPh 的垂直對光設定：光纖由定位臂夾著，從上方略為傾斜地對準晶圓表面，上方是用來觀察的顯微鏡頭。

圖片來源：FormFactor 產品頁（原廠產品圖，未經修改）

Insertion 指的是「測試站」，也就是產線上安排一次檢查的位置。日本測試機大廠 Advantest 在 2025 年的公開簡報中，把矽光子測試的前三站編號為 Insertion 1、2、3；封裝成模組之後的測試，統稱為「Insertion 3 以後」，那一段可能不只一站。

台灣公司的法說會和媒體，多半把它簡化成四道；致茂再把第四道拆成兩段，叫 4-O 和 4-E。站點怎麼切，業界目前還沒有統一標準，下文照台灣業界常用的四道來講。

每過一關，被測的東西就多組裝一層，也更貴一層。這是第一節「先確認每顆都是好的」推到極致，Advantest 稱為測試左移（Shift Test Left）：把檢查盡量往產線前面搬。

為什麼 CPO 特別需要這樣做？摩根士丹利 2026 年 6 月的報告估計（這是外資的推估，不是台積電公布的數字），台積電 SoIC 接合製程的良率約 50% 到 60%，後段封裝組裝的良率約 20% 到 50%。同一份報告也把 2027 年光學引擎的出貨量估在 600 到 700 萬顆，遠低於市場原本預期的 2,000 到 3,000 萬顆。良率這麼低，每晚一關才發現問題，就多丟掉一層價值。

Insertion 1　光子晶圓檢查

測什麼：還沒和電子晶片接合的光子晶圓，只從一面測。量基本的電性和光學數據：光有多強、損失了多少，以及暗電流（沒照到光時，偵測器仍會漏出的微小電流，越小越好）。業界也叫它光學晶圓允收測試（OWAT，Optical Wafer Acceptance Test）。

誰在做、進度到哪，看下面的表。

一片 300 毫米（12 吋）的矽光子晶圓。第一關檢查的就是這個階段。

照片：Ehsanshahoseini／Wikimedia Commons（CC BY-SA 4.0）

Insertion 2　接合後的晶圓檢查

測什麼：電子晶片接合到光子晶圓上之後、切開之前，兩面同時測（上電下光）。確認電能不能正確轉成光、光能不能正確轉回電，也要測高速傳輸表現和 S 參數（高速訊號經過元件時，被反射、穿透了多少），確認接合過程沒有把效能弄壞。

誰在做、進度到哪，看下面的表。

Insertion 3　光學引擎檢查

測什麼：切開、接上光纖之後的光學引擎。做完整的校準、直流和高速測試，以及光迴路測試（把送出去的光繞一圈收回來比對），挑出確認良好的光學引擎（KGOE，Known Good Optical Engine），才送去和運算晶片封在一起。

誰在做、進度到哪，看下面的表。

Insertion 4　完整封裝檢查

測什麼：光學引擎和交換器或運算晶片封成完整的 CPO 之後，驗證整個系統功能正不正常，並做光迴路測試。致茂把這關再拆成兩段：4-O 測光訊號的進出，4-E 測誤碼率（BER，Bit Error Rate，傳送的資料裡出錯的比例，越低越好）。

誰在做、進度到哪，看下面的表。

誰在哪一關：三種生意，進度各不同

同樣出現在 CPO 測試鏈上，這些公司的生意模式分成三種，跟「出貨量」的關係完全不同：

資本設備（測試機、探針台、分選機、光纖對準機台）：買一次用很多年，跟著客戶擴廠走。
介面耗材（探針卡、測試座）：會磨損、晶片改版就要換，跟著測試次數走，量產之後會重複下單。
檢測與分析：光焱的線上光學檢測設備掛在探針台上，跟著產線導入走；宜特、閎康、汎銓是接案做實驗室分析，找出「哪裡壞、為什麼壞」，良率越難搞越忙，但不會跟出貨量等比例成長。

「訂單」表示公司或法說會公開說已經拿到採購訂單；「驗證中」「規劃出貨」多半出自外資報告或公司規劃，不等於營收。資料截至 2026/9/17。

同一關的國外對手

台灣公司多半還在驗證和試產，國外設備商在每一關都已經有現成方案。其中 Teradyne 的 Photon 100 一個平台就涵蓋了四關。

漢民測試系統（簡稱漢測，7856）成立於 2004 年，是漢民集團旗下的公司。2025 年 9 月 17 日先在興櫃（正式上市櫃之前的交易市場）掛牌，當時參考價 100 元。

2026 年 9 月，它以每股 2,250 元的承銷價（公開賣股票給投資人的價格）辦理新股公開銷售，打破台股紀錄；前一個紀錄是 2025 年 11 月上市的鴻勁，1,495 元。漢測預計 9 月 22 日轉上櫃。

它不跟 Advantest、Teradyne 搶通用測試機，營收來自測試機周邊的三塊生意：客製化設備、工程服務、探針卡。

營收占比、營收、毛利率、每股盈餘為 2026 年上半年財報數字（經濟日報、鉅亨網）；前 8 月營收為公司每月公布營收的累計。

半導體設備與客製化產品（上半年營收占 52%）

高功耗熱管理系統是目前的主力。AI 晶片測試時很耗電、發熱很大，溫度一飄，量出來的結果就不準，甚至可能把晶片燒壞；這套系統負責在測試時把溫度穩住。它在 2025 年第四季出貨超過 60 套，2026 年上半年占營收超過三成；公司表示，客戶的備料需求已經排到 2027 年中，預估 2027 年這塊營收有機會翻倍。

光電同測設備是 CPO 那條線。第二代設備預計 2026 年底導入客戶，2027 年開始有來自代工組裝廠（ODM、OEM）的設備營收。但公司自己的說法是：2026 到 2027 年都還是少量，真正大規模量產最快要等到 2028 年。

公司列出的其他成長項目，還有先進封裝設備（CoWoS 回焊爐）和 DRAM 記憶體的系統級測試。

現在賺錢的生意，和 CPO 題材，不在同一條時間軸上

熱管理和光電同測設備的時間點，依公司說法（鉅亨網 2026/9/16）；2027 年以後都是公司規劃或預估。

測試設備工程服務（占 25%）

工程服務團隊超過 340 人，替晶圓廠和封測廠做設備的安裝、搬遷、保養和維修。

客戶的測試機台越多、越複雜，這塊就越忙，是跟著客戶機台數量成長的生意。

探針卡與清潔材料（占 23%）

早年接受日本探針卡廠 MJC（日本・6871）懸臂式探針卡的技術移轉，現在產品涵蓋懸臂式、垂直式和薄膜式三種探針卡。

2021 年開始投入薄膜式探針卡，瞄準 5G、6G 和高頻晶片測試，2026 年 4 月取得技術突破。公司目標是 2027 年的探針卡產能比 2026 年多一倍。

漢測官網「客製化產品」頁面上的 EasyCool 溫控設備。

圖片來源：漢民測試系統產品頁（原廠產品圖，未經修改）

它和 Advantest、Teradyne 不在同一個擂台

全球測試機市場由 Advantest 和 Teradyne 兩強主導，兩家賣的是標準化的大型測試平台。漢測的營收結構完全不同，錢主要來自測試機的周邊：熱管理這類客製化設備、會消耗的探針卡，以及派駐到客戶工廠的工程服務。

這個位置的好處，是跟著「測試量」成長。第二節提到測試時間拉長十倍，就代表更多機台要控溫、更多探針卡要更換、更多設備要維護。換句話說，客戶的測試機裝得越多，漢測的生意就越多；它不是測試機的替代品，而是配套。

要留意的地方也在這裡：
現在賺錢的是熱管理，不是 CPO。光電同測設備，公司自己說 2028 年才會放大，眼前的獲利和 CPO 題材之間有時間落差。
股價已經跑在前面。用 2026/9/17 的興櫃價約 4,745 元，對照上半年每股盈餘 21.5 元乘以二、粗估全年 43 元，本益比（股價是一年每股獲利的幾倍）大約 110 倍。這是拿半年獲利推算全年的粗略算法，不是過去一整年的實際獲利；9 月 22 日轉上櫃之後，價格還會變動。
工程服務和熱管理，都跟著晶圓廠和封測廠的擴廠節奏走。客戶擴廠一放慢，這兩塊會最先受到影響。

這篇的關鍵詞，一句話版。

OSAT Outsourced Semiconductor Assembly and Test

封裝與測試代工廠。把晶圓廠做好的晶圓切割、封裝、測試成可出貨晶片的廠商。

晶粒 Die

晶圓上一顆顆還沒封裝的晶片。

晶圓針測 CP Chip Probe

晶圓切割前，用探針卡測每顆晶粒的好壞。

最終測試 FT Final Test

封裝完成後，把成品放進測試座做完整功能與速度測試。

系統級測試 SLT System-Level Test

把晶片放在接近真實系統的環境裡跑實際工作，AI 晶片常在 FT 之後加做。

預燒 Burn-in

高溫、高電壓下連續運作，讓體質差的晶片在出廠前先壞掉。

已知良好晶粒 KGD Known Good Die

進封裝前就確認為良品的晶粒。多晶片封裝最怕把壞晶粒封進去。

測試機 ATE Automatic Test Equipment

自動測試設備。負責送出測試訊號、判讀結果的機台，全球由 Advantest 與 Teradyne 主導。

探針台 Prober

晶圓階段的搬運與對位設備，把晶粒一顆顆送到探針卡底下。

分選機 Handler

成品階段的搬運設備，把晶片送進測試座、控溫，測完依結果分類。

探針卡 Probe Card

測試機與晶圓之間的轉接介面，用細針接觸晶粒接點。

懸臂式探針卡 CPC Cantilever Probe Card

針從卡片邊緣斜伸向中間，成熟便宜，針距較寬。

垂直式探針卡 VPC Vertical Probe Card

針直立排成陣列，可以更密、佈滿整顆晶粒，AI 晶片主力。

MEMS 探針 Micro-Electro-Mechanical Systems

用微影等半導體製程做出的微型探針。

薄膜式探針卡 Membrane Probe Card

接觸點做在薄膜上，訊號路徑短，適合高頻射頻量測。

測試座 Test Socket

測試機與封裝成品之間的轉接介面，用彈簧針接觸錫球或金屬腳。

同軸測試座 Coaxial Socket

每根訊號針外面包一圈接地，像迷你同軸電纜，讓高頻訊號不失真。

主動溫控 ATC Active Thermal Control

測試時即時控制晶片溫度的系統，AI 晶片高功耗測試的必備。

微凸塊 Micro-bump

先進封裝裡晶片與中介層之間的微小焊點，CoWoS 採用。

混合鍵合 Hybrid Bonding

銅對銅直接接合、不用凸塊，接點間距可以比微凸塊密得多；台積電 SoIC 的技術。

中介層 Interposer

夾在晶片與載板之間的轉接層，讓多顆晶片高速互連。

CoWoS Chip on Wafer on Substrate

台積電的 2.5D 先進封裝，把運算晶片與 HBM 並排放在中介層上。

SoIC System on Integrated Chips

台積電的 3D 堆疊技術，用混合鍵合把晶片直接疊接。

HBM High Bandwidth Memory

高頻寬記憶體。多層 DRAM 堆疊，貼在 AI 晶片旁邊。

BGA Ball Grid Array

球柵陣列。封裝底部以一顆顆錫球當接點的封裝形式。

翹曲 Warpage

多種材料受熱膨脹程度不同，讓封裝整片彎起來的現象。

熱膨脹係數 CTE Coefficient of Thermal Expansion

材料每升溫一度膨脹多少的比例。

CPO Co-Packaged Optics

共同封裝光學。把光學引擎和交換器或運算晶片封在同一顆封裝裡。

光子晶片 PIC Photonic Integrated Circuit

負責導引、調變、接收光的矽光子晶片，本身不發光。

電子晶片 EIC Electronic Integrated Circuit

光學引擎裡負責驅動調變器、放大接收訊號的電路。

光學引擎 Optical Engine

PIC 加 EIC 組成、負責電光轉換的模組。

光波導 Waveguide

晶片內讓光沿著走的細小通道，作用像光的導線。

光柵耦合器 Grating Coupler

晶片表面刻有細密溝紋的區域，把從上方斜射下來的光導入波導。

光纖陣列單元 FAU Fiber Array Unit

把多條光纖固定在 V 型溝槽中、端面加工後的組件，負責光進出晶片。

外部光源 ELS External Laser Source

放在封裝外面、可插拔的雷射模組。雷射怕熱又最容易壞，所以搬出去。

壓電定位器 Piezo Positioner

利用壓電材料通電形變推動物件，可做奈米級微調。

Insertion Test Insertion

測試站點。產線上安排一次測試的位置。Advantest 編到 Insertion 3，封裝後的測試統稱 Insertion >3；台廠多簡化成四道。

OWAT Optical Wafer Acceptance Test

光學晶圓允收測試。CPO 的第一道關卡，在晶圓階段測光子晶片。

已知良好光學引擎 KGOE Known Good Optical Engine

通過 Insertion 3、確認為良品的光學引擎。

上電下光 Double-sided Wafer-level Electro-optical Test

Insertion 2 的雙面測法：一側用探針卡送電訊號，另一側用光纖對準光子晶片，兩面同時測。

測試左移 Shift Test Left

把測試往產線前段搬，越早抓到壞品，報廢成本越低。

COUPE Compact Universal Photonic Engine

台積電的 CPO 平台，緊湊型通用光子引擎，用 SoIC 把 EIC 鍵合在 PIC 上。

誤碼率 BER Bit Error Rate

傳輸的資料裡出錯位元所占的比例，越低越好。

S 參數 Scattering Parameters

描述高頻訊號經過元件時反射與穿透多少的量測指標。

dB Decibel

分貝。表示光或訊號功率變化的對數單位，每 3 dB 約為功率的一半或兩倍。

興櫃 Emerging Stock Market

台灣正式上市櫃之前的交易市場，公司可先在此掛牌交易。

承銷價 Offering Price

公司上市櫃時公開銷售股票的價格。

暗電流 Dark Current

光偵測器在沒有光照時仍會流出的微小電流，越小代表雜訊越低。

光迴路測試 Optical Loop-back Test

把送出去的光訊號繞一圈再收回來比對，一次確認發射端和接收端都正常。

1.6T 1.6 Terabits per Second

每秒 1.6 兆位元的傳輸速率等級，指新一代資料中心光模組的頻寬規格。

晶圓當量 Wafer Equivalent

把不同產品、不同製程的產能換算成同一種晶圓片數，方便放在一起比較。

ODM／OEM Original Design／Equipment Manufacturer

兩種代工模式：ODM 連產品設計一起做，OEM 依客戶的設計生產。文中指把設備賣給這類伺服器與模組代工廠。

EPS Earnings Per Share

每股盈餘。公司稅後淨利除以股數，代表每一股賺了多少錢。

本益比 P/E Ratio

股價除以每股盈餘。數字越高，代表市場為每一元獲利付的價格越高。

邊緣耦合 Edge Coupling

從晶片側邊把光水平送進波導。耦合效率較高，但對準更難，過去不容易在晶圓階段測。

自適應光學 Adaptive Optics

量測時即時調整光路、補償偏差的技術，用來加快找光與對準。

SEMI SEMI

國際半導體產業協會，SEMICON 系列展會的主辦單位。

良率 Yield

一批產品裡合格品所占的比例。良率低，代表做出來的東西有很多要丟掉。

法說會 Investor Conference

上市櫃公司向投資人說明營運狀況和未來規劃的會議。

外資 Foreign Institutional Investors

外國的投資銀行或投資機構，例如摩根士丹利。它們發布的研究報告常影響市場看法，但內容是推估，不是公司公告。

毛利率 Gross Margin

每賣 100 元，扣掉直接的生產成本之後還剩多少，用百分比表示。

交換器 Switch

資料中心裡負責把資料轉送到正確伺服器的設備，CPO 最先用在這裡。

矽光子 Silicon Photonics

在矽晶片上做出讓光行走、轉換的線路，用光代替電來傳資料。